整流二极管通常应用于电源电路中，利用其单向导电性将交流电转换成直流电。

　　整流二极管和普通二极管的区别是：整流二极管的PN结面积较大，故结电容比较大，不适合在高频条件下工作，同时正向电流比较大，反向击穿电压比较高，适合于大功率、高电压下工作。目前整流二极管基本为由硅材料制造，稳定性好，比较耐高温。

　　整流二极管P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（硅管为0.7V，锗管为0.3V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。

　　选用整流二极管时，主要应考虑其最大工作电流、最高反向工作电压、截止频率及反向恢复时间等参数。