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随着深亚微米CMOS工艺的发展，尺寸按比例不断缩小，对芯片面积的挑战越来越严重，双极型晶体管以及高精 ...
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hcay | 发表时间 2014-09-26
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应用于手机等通信电子产品电源系统的电流模式控制DC /DC转换器芯片， 要求具有高性能电流检测电路 ...
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Dabing | 发表时间 2015-03-12
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设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度 ...
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采用交叉耦合结构，利用TSMC90nm 1P9M 1．2V RFCMOS工艺设计的全集成LC压控振荡 ...
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露水非海 | 发表时间 2015-12-18
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设计了一种20M低相位噪声晶体振荡器。通过对振荡原理的分析，选取了Santos结构的振荡器进行设计。 ...
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露水非海 | 发表时间 2015-12-29
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实现了一个脉冲超宽带、高速、短距离无线通信组网工程的MAC缓存设计，使用片外SDRAM与MAC芯片电 ...
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倩倩 | 发表时间 2014-06-21
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设计了一款带隙基准电压源，基于0．18μm的CMOS工艺，在Hspice下仿真，仿真结果表明，温度在 ...
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露水非海 | 发表时间 2015-12-30
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为满足低功耗要求，设计了基于亚阈值区的基准电路及比较器，并设置了待机状态。经仿真验证，本芯片满足功能 ...
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期待 | 发表时间 2015-04-21
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基于二次曲率补偿的基本原理,提出一种高精度的采用二次曲率补偿的新型带隙基准源电路,产生二次温度补偿量 ...
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导读： 三十多年来，本体硅（bulk silicon）MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要C ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-10-17
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本文设计了一种CMOS工艺下的欠压保护电路，首先分析了电路的工作原理，而后给出了各MOS管的参数计算 ...
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晴空万里 | 发表时间 2014-08-15
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CMOS控制器是射频功放模组的重要单元，它为射频功放提供稳定的偏置点和简单的逻辑控制。采用复用误差放 ...
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ayang | 发表时间 2015-06-25
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本文研究了一个用0.6μm CMOS工艺实现的功率放大器， E型功率放大器具有很高的效率，它工作在开 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-13
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采用0.35 μm CMOS工艺设计并实现了一种新的应用于光纤通信跨阻放大器的自动静噪电路。提出的 ...
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AJ代发 | 发表时间 2016-05-06
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提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等 ...
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设计了一种新型的基于第二代电流传输器CCⅡ－的超低功耗电流反馈运算放大器，并采用TSMC 0.6μm ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-13
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基于电感源极退化技术设计了一款新颖的高线性度正反馈跨导放大器，并且将该跨导放大器应用于折叠结构式混 ...
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AJ代发 | 发表时间 2016-05-03
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基于预放大锁存理论,设计了一种高速钟控比较器,它包括三个主要部分:预放大器、判断级电路、输出缓冲器。 ...
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FPGA已经被广泛用于实现大规模的数字电路和系统，随着CMOS工艺发展到深亚微米，芯片的静态功耗已成 ...
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hcay | 发表时间 2014-11-01
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折叠共源共栅运放结构的运算放大器可以使设计者优化二阶性能指标,这一点在传统的两级运算放大器中是不可能 ...
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