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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种MOSFET与双极晶体管复合的器件。它既有功率MOSFET易于 ...
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hcay | 发表时间 2014-11-29
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此LED驱动电路包括一个滞后控制器U1的(MAX16820的)，相关功率器件和控制电路的四运放U2乐 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-15
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所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指mosFEt的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极 ...
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齐欣 | 发表时间 2015-08-13
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ROHM开发出在大功率（高电压×大电流）逆变器和伺服等工业设备中日益广泛应用的SiC-MOSFET驱 ...
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凯瑞 | 发表时间 2015-05-11
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VPFE和VPBE两者的中断，都是来源于VSYNC这个垂直同步信号。而这里的中断，往往就形成一套完整 ...
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倩倩 | 发表时间 2014-07-09
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SnifFEr技术是网络安全领域里一项非常重要的技术!对于“Hacker”来说，他们可以以非常隐蔽的 ...
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州仔 | 发表时间 2014-04-09
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下电视遥控器开关，身历其境一场高画质的热血赛事。从美国职业篮球（NBA: National Bask ...
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fl | 发表时间 2014-10-30
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绝缘体上硅以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文用Se ...
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hcay | 发表时间 2014-11-04
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过压保护器件用于保护后续电路免受甩负载或瞬间高压的破坏。器件通过控制外部串联在电源线上的n沟道MOS ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-13
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在电力转换器，电机驱动，太阳能和风力发电等系统的应用上，所有这些保护功能都是重要的，因它确保这些系统 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-12
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为了将传感器感测到的信息传递给控制器，我们需要使用模拟前端（AFE）。AFE将模拟信号转化为数字信号 ...
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小尚 | 发表时间 2016-01-14
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本文将对LED照明应用中实现高功率因数性能的无任何闪烁的调光控制技术与构建等问题作研讨，并以应用多项 ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-10-31
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最大限度降低器件和印刷电路板(PCB)的寄生电感和电容是重要的设计考虑因素，可减少不希望的噪声。要在 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-06-02
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在电源设计中，工程师通常会面临控制 IC 驱动电流不足的问题，或者面临由于栅极驱动损耗导致控制 IC ...
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元凶就是MOSFET栅极驱动。我希望FET启动后不会卡嗒作响、震荡跳动不止，弄得鸡飞狗跳。 ...
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永不止步步 | 发表时间 2015-09-12
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本文将介绍多层通孔、跳接、接地走线的概念及其之间关系，与各种分离平面的布线技巧，并说明可隔离电源和接 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-03-17
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1.输入输出端不要靠的太近，特别是在高增益情况下；2.电平差大的线不要靠得太近（电平差30~40dB ...
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永不止步步 | 发表时间 2015-12-04
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本应用笔记介绍如何利用MAX5977热插拔控制器和单路ADC，准确监测两个不同量程的负载电流：大功率 ...
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Dabing | 发表时间 2015-04-02
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之前我们看了CMOS和JFET放大器输入偏置电流的来源，发现其主要由一个或几个反向偏置的PN节的漏电 ...
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由于具有较低的偏置电流，人们经常选用CMOS和JFET运算放大器。然而你应该意识到，这个事实还与很多 ...
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