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随着IC器件集成度的提高、设备的逐步小型化和器件的速度愈来愈高,电子产品中的EMI问题也更加严重。从 ...
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州仔 | 发表时间 2013-11-11
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本文设计，仿真并制作了基于SiC MESFET器件的L波段E类功率放大器，输入输出阻抗匹配电路均采用 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-07-17
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随着电力电子变换系统对于效率和体积提出更高的要求，SiC（碳化硅）将会是越来越合适的半导体器件。尤其 ...
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宝啦宝呀 | 发表时间 2015-05-18
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EOS也是公认的IC器件的头号杀手。EOS的发生情况复杂，神出鬼没，寻求一个完美的解决方案至今困扰 ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-11-03
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作为一种宽禁带半导体材料，SiC对功率半导体可以说是一个冲击。这种材料不但击穿电场强度高、热稳定性好 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-02-09
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dsPIC器件的开发有助于缓解16位单片机和低端数字信号处理器 ,与此同时，随着控制技术日趋复杂化， ...
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Dabing | 发表时间 2015-02-07
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sIC器件半导体具有耐高压耐低温的独特优越性，为了最大限度的发挥这些优势，对新结构进行了发挥，创造了 ...
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足便携式医疗电子产品在功耗、性能和价格等方面的要求，已成为医疗设备制造厂商面临的关键挑战。 ...
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倩倩 | 发表时间 2014-07-05
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尽管FPGA和CPLD都是可编程ASIC器件，有很多共同特点，但由于CPLD和FPGA结构上的差异， ...
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露水非海 | 发表时间 2016-06-12
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CPLD和FPGA都属于ASIC器件，但由于结构上的差异两者又拥有各自的差异化特点。 ...
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hcay | 发表时间 2015-01-27
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设计并实现一个能完成IP协议功能的ASIC器件;讨论器件的稳定工作条件。任何数字化的工业设备都可以使 ...
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期待 | 发表时间 2015-03-25
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随着IC器件集成度的提高、设备的逐步小型化和器件的速度愈来愈高,电子产品中的EMI问题也更加严重。 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-05-07
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