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在高端MOS的栅极驱动电路中，自举电路因技术简单、成本低廉得到了广泛的应用。然而在实际应用中，MOS ...
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现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、R ...
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hcay | 发表时间 2014-11-29
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无论是手机还是相机决定其成像质量最为重要的一部分就属于感光元件了，感光元件主要有两种，一种是CCD传 ...
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黑魔 | 发表时间 2014-07-11
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MOSFET的全名是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect T ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-10-14
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视觉系统，系统由CMOS图像传感器、CPLD、ARM7微处理器以及SRAM构成。其中，CPLD识别时 ...
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倩倩 | 发表时间 2014-06-23
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CMOS和TTL集成门电路在实际使用时经常遇到这样一个问题，即输入端有多余的，如何正确处理这些多余的 ...
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永不止步步 | 发表时间 2015-01-14
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同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给 ...
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期待 | 发表时间 2015-03-30
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简单的I/O口扩展通常是采用TTL或CMOS电路锁存器、三态门等作为扩展芯片，通过P0口来实现扩展的 ...
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畅学电子 | 发表时间 2014-09-04
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本文中提出了针对于MOSFET击穿的两种常见成因，并且对此进行了问题分析及提出解决方案。 ...
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hcay | 发表时间 2015-01-31
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为在高线性的前提下提高LTE基站系统中的功率放大器效率，基于ADS软件设计了一款工作频段2.5～2. ...
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不间断电源被大量使用在信息和数据保护设备上，不间断电源的发展很大程度上是依赖于IGBT、Power ...
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hcay | 发表时间 2014-11-21
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2014 年 7 月 23 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corpor ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-08-14
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安森美公司的NCV8876是一个非同步升压控制器，用于车辆启动/停止过程中，车辆电池电压跌落时，提供 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-08-18
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本文简要比较了下SiC MOSfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路 ...
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AJ代发 | 发表时间 2016-04-13
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AT89C51是一种带4K字节FLASH存储器（FPEROM—Flash Programmable ...
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Dabing | 发表时间 2015-02-05
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本文设计了一种应用于负电源的电平位移电路。实现从0～8V低压逻辑输入到8～-100V高压驱动输出的转 ...
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露水非海 | 发表时间 2015-11-18
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我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-05-17
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本文介绍了采用先进的工业CMOS(iCMOS)工艺制造的AD7656型模,数转换器,并将它应用在数字 ...
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期待 | 发表时间 2015-03-25
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本文研究了一个用0.6μm CMOS工艺实现的功率放大器， E型功率放大器具有很高的效率，它工作在开 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-13
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为了满足感应加热电源中对IGBT驱动与保护功能的要求，采用北京落木源电子技术有限公司生产的专用于大功 ...
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倩倩 | 发表时间 2014-07-01
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