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本文利用TSMC 180 nm RF CMOS工艺设计了一款VCO芯片，介绍了VCO 电路设计和器件 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-05-29
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本文以系统级封装技术为基础，提出了将扩散硅压力敏感芯片和相应的驱动放大电路集成在一块电路板上并直接放 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-05-26
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本文可以帮助指导用户进行QFN的焊盘设计和生产工艺设计，下面一起来学习一下： ...
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晓晓nn | 发表时间 2017-02-28
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霍尔效应开关和仪器级传感器在工业应用中正变得越来越普及，如今产品和制造工艺设计师可以选用高度集成的各 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-07-07
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规范印制电路板工艺设计，满足印制电路板可制造性设计的要求，为硬件设计人员提供印制电路板工艺设计准则， ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-06-04
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采用交叉耦合结构，利用TSMC90nm 1P9M 1．2V RFCMOS工艺设计的全集成LC压控振荡 ...
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露水非海 | 发表时间 2015-12-18
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提出了一种应用于电流型DC/DC转化器的二次斜坡补偿电路的设计，该方法使补偿的斜率随着占空比动态变化 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-05-06
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为了实现变频控制,产生一个与输入信号同频同相的电压信号,使输入电流跟随输入电压,设计了一种基于BCD ...
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采用0.35 μm CMOS工艺设计并实现了一种新的应用于光纤通信跨阻放大器的自动静噪电路。提出的 ...
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AJ代发 | 发表时间 2016-05-06
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本文详细介绍了功耗限制条件下噪声最优化的低噪声放大器的设计方法，并采用0.251μmCMOS RF工 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-04-12
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提出了应用0.13 ?滋m CMOS工艺设计的具有高隔离度的Ka波段单刀双掷（Single Pol ...
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AJ代发 | 发表时间 2016-05-03
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霍尔效应开关和仪器级传感器在工业应用中正变得越来越普及，如今产品和制造工艺设计师可以选用高度集成的各 ...
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娇 | 发表时间 2016-01-22
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采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比（PSRR）、低温漂、输出0.5V的带 ...
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本文主要讲了PCB工艺设计原则，一起来学习下： ...
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晓晓nn | 发表时间 2017-04-10
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本文给出了一个基于自主知识产权芯片实现的超宽带窄脉冲发射电路及测试结果，通过超低功耗单片机MSP43 ...
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长长11 | 发表时间 2019-06-01
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XLT604是采用BICMOS工艺设计的PWM高效LED驱动控制器，它在DC8～450V输入电压范围 ...
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hcay | 发表时间 2014-12-25
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本文采用自举升压电路，设计了一种BiCMOS Totem结构的驱动电路。该电路基于Samsung A ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-14
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为了达到单片雷达接收机对镜像抑制度的要求，采用CMOS O．18μm工艺设计了一个三级级联的镜像抑制 ...
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Dabing | 发表时间 2015-04-02
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一、资料输入阶段1.在流程上接收到的资料是否齐全（包括：原理图、*.brd文件、料单、PCB设计说明 ...
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lotuse | 发表时间 2016-10-20
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自可穿戴设备发布之日起，伴随它的就是不断的质疑声。从外形、体验、性能到应用、价格，几乎都有可挑剔的地 ...
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hcay | 发表时间 2014-11-06
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