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过压保护器件用于保护后续电路免受甩负载或瞬间高压的破坏。器件通过控制外部串联在电源线上的n沟道MOS ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-13
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这里基于LPC2292控制器和CAN现场总线技术，考虑经济、实用因素，提出并设计了一种结构简单、性价 ...
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畅学e | 发表时间 2015-05-16
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分析了Gilbert结构有源双平衡混频器的工作机理，以及混频器的转换增益、线性度与跨导、CMOS沟道 ...
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露水非海 | 发表时间 2015-12-30
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绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-01-04
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为降低冗余电源系统的功耗，LTC4225、LTC4227和LTC4228采用外部N沟道MOSFET作 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-15
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提出了一款应用于RF无线收发芯片的高精度电流偏置电路。综合考虑功耗、面积和失调电压对基准电压的影响， ...
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AJ代发 | 发表时间 2016-05-06
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根据系统要求，650V场截止（FS）沟道IGBT（比如FGH40T65SHDF）非常适合感应电磁炉和 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-09-09
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叙述模拟集成电路设计中关于MOS管不匹配特性的一些基本概念,以及随着加工尺寸的不断减小,MOS管所引 ...
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在印制电路制作过程中，蚀刻是决定电路板最终性能的最重要步骤之一。所以，研究印制电路的蚀刻过程具有很强 ...
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莫北北 | 发表时间 2014-12-04
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1.IGBT的结构与工作原理 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区 ...
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hcay | 发表时间 2014-11-25
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本文主要简述N沟道增强型场效应管的特性曲线、其他类型MOS管（N沟道耗尽型、P沟道增强型P沟道耗尽型 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-01-04
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本文讲述场效应管的工作原理、伏安特性及P沟道EMOS场效应管。 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2016-12-29
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由于MOSFET的应用范围非常广泛，本文主要讨论功率MOSFET、小功率MOSFET等单体MOSFE ...
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露水非海 | 发表时间 2016-06-13
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MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。 ...
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hcay | 发表时间 2015-01-05
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LT8310是一款简单易用的谐振复位正激式转换器控制器，其采用一个内部调节的10V电源来驱动一个低压 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-08-14
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ADI 旗下凌力尔特公司 （Linear Technology CorporaTIon） 推出多拓扑 ...
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长长11 | 发表时间 2020-03-02
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由于MOSFET 驱动器交越导通而产生的功耗，通常这也被称为穿通。这是由于输出驱动级的P沟道和N 沟 ...
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期待 | 发表时间 2015-04-17
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本文以N沟道.结型场效应管为例说明场效应管的特性。 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2016-12-12
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所有MOS集成电路(包括P沟道MOS，N沟道MOS，互补MOS—CMOS集成电路)都有一层绝缘栅，以 ...
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娇 | 发表时间 2016-03-16
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