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本文介绍了提高电容耐压值的方法。 ...
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RS-485收发器工作电压较低（5V左右），其本身耐压也非常低（-7V~+12V），一旦过压引入，就 ...
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永不止步步 | 发表时间 2015-03-13
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这块单板已小批量生产了，经过长时间测试没发现任何问题
点评：硬件设计和芯片应 用必须符合 ...
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冯大同 | 发表时间 2014-03-20
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在低电压（100V以下）驱动应用中，多使用MOSFET作为功率转换器件。随着电压的提高，MOSFET ...
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冯大同 | 发表时间 2014-03-24
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文中设计的LDMOS器件主要是在耐压特性上做了改进，相对于RESURF技术、漂移区变掺杂、加电阻场极 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-08-13
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功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2018-01-23
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STM32并不是如手册所言，绝大部都是耐5V电压的，具体的要参考数据手册——我就是轻信了网络上话， ...
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期待 | 发表时间 2015-04-08
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可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下工作， ...
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hcay | 发表时间 2014-11-04
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看到这个主题，可能有些工程师会问：多少伏的功率MOSFET，耐压BVDSS不就是多少伏吗？这里面还有 ...
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永不止步步 | 发表时间 2016-10-12
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因只读存储器的基本存储单元只进行一次编程，编程后的数据能长时间保存，且在编程时需要流过mA级以上的 ...
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晴空万里 | 发表时间 2014-08-06
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高耐压、高容值的电容器一般通过电解电容或者薄膜电容来实现，其体积一般较大。尽管经过多年的发展，高耐压 ...
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倩倩 | 发表时间 2014-07-07
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本文介绍了一种高电压击穿测试仪 ...
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lihong | 发表时间 2015-12-31
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BPXZ串联谐振是华天电力自主研发的一款电缆专用便携式变频谐振升压装置。该装置主要由变频控制器、励磁 ...
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永不止步步 | 发表时间 2015-03-26
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手里零件挺多的，昨天做个东西，本来应该用IN4148做二极管用，随手拿了两个玻封管，也没仔细看就焊上 ...
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永不止步步 | 发表时间 2015-08-19
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与HE-NE激光器相比,COZ激光器的触发电压和工作电压更高,工作电流也大.因此对构成电源的每个元器 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-03-03
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击穿电压是最重要得参数之一，它和最大电流容量一起决定了电力电子器件的额定功率，其中功率FRD通常是通 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-07
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双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控 ...
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期待 | 发表时间 2015-04-18
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高耐压、高容值的电容器一般通过电解电容或者薄膜电容来实现，其体积一般较大。尽管经过多年的发展，高耐压 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-07-26
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两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低， ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-10-22
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IGBT（Insulated Gate Bipolor Transistor）叫做绝缘栅极双 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-02-24
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