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本书的主要内容包括:集成电路有源器件模型,双极型、MOS、BiCMOS集成电路技术,单晶体管和多晶体 ...
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畅学电子|上传于 2015-05-20
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该资料为《模拟电子技术基础》第四版(童诗白、华成英主编)PPT教学课件。
《模拟电子技术基础(第4 ...
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畅学电子|上传于 2015-05-16
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氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表之一,由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点,被认为是高频 ...
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稳压二极管工作原理一种用于稳定电压的单结二极管。结构同整流二极管。加在稳压二极管的反向电压增加到一定 ...
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王者风范|上传于 2015-12-29
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肖特基势垒整流器一般用在单晶硅和多晶硅光伏(PV)电池板的旁路二极管中,在热点出现低分流阻抗和高分流 ...
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3DD13001是硅NPN型小功率开关三极管,主要用于节能灯电子镇流器、手机充电器等开关电源电路。3 ...
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Me|上传于 2015-11-10
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在设计汽车的过程中,一个主要的难题是例如控制单元、传感器、信息娱乐系统等保护电子设备,免遭出现在电源 ...
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齐欣|上传于 2015-06-24
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本资料像读者介绍了一个功能较齐全的晶体管直流参数测试仪。可以测试1000V的二极管反向击穿电压与稳压 ...
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YYJ|上传于 2015-05-18
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半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管) ...
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期待|上传于 2015-05-21
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驱动电路的性能很大程度上影响整个系统的工作性能。驱动电路的设计中主要考虑功能和性能等方面的因素。本文 ...
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永不止步步|上传于 2014-12-25
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提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过s ...
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永不止步步|上传于 2014-12-25
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开关电源中保险熔断的直接原因:开关管\电源厚模块\整流二极管 ...
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hcay|上传于 2014-12-12
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代换S8550_S8050三极管要特别注意放大倍数,值得一读。
关于C8050 C8550 参数: ...
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期待|上传于 2014-12-05
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稳压二极管又名齐纳二极管。 稳压二极管是利用PN结反向击穿时电压基本上不随电流变化而变化的特点来达到 ...
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莫北北|上传于 2014-12-04
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设计了一种基于PIC16C71单片机的数字水温配制阀。该配制阀采用NTC热敏电阻作温度传感器,与固定 ...
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永不止步步|上传于 2014-11-24
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在制造高频功率器件时,往往遇到一个击穿电压与集电极串联电阻对集电极材料电阻率的要求矛盾的问题,这时如 ...
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hcay|上传于 2014-11-12
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讨论了MOS管击穿的分类,以及击穿时场强分布情况,在此基础上,列举和分享了MOS管击穿的发生区域,主 ...
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hcay|上传于 2014-09-29
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MOS管被击穿的原因及解决方案如下:第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以 ...
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hcay|上传于 2014-09-29
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TE提供的单通道器件为单向和双向两种结构。双向器件的电容 和插损最低, 在 PCB组装时不受器件极性 ...
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一帘幽梦飞|上传于 2014-09-23
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1、 纯净的单晶半导体又称本征半导体,其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。2、 射极输出器属共集电 ...
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永不止步步|上传于 2014-09-13
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