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本文用超级结MOSFET时栅极会振荡如何解决? 来继续为大家讲解如何调整PCB布局以降低超级结MOS ...
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hcay | 发表时间 2015-01-19
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本文提出一个简单的工作在PoE+功率级(30W)的PD电路，它借助了一个外部MOSFET和一个针对旧 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-05-12
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作为一名功率MOSFET工程师，在FET数据表的所有内容中，除了电流额定值之外，被问到的最多的问题可 ...
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晓晓nn | 发表时间 2021-04-12
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文章详细介绍了占空比半导体公司的DU8623芯片，基于非隔离BUCK拓扑、集成源极驱动MOSFET, ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-06-18
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ROHM开发出在大功率（高电压×大电流）逆变器和伺服等工业设备中日益广泛应用的SiC-MOSFET驱 ...
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凯瑞 | 发表时间 2015-05-11
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LTC4414是一种功率P-EFT控制器,主要用于控制电源的通、断及自动切换,也可用作高端功率开关。 ...
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期待 | 发表时间 2015-03-25
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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种MOSFET与双极晶体管复合的器件。它既有功率MOSFET易于 ...
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hcay | 发表时间 2014-11-29
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此LED驱动电路包括一个滞后控制器U1的(MAX16820的)，相关功率器件和控制电路的四运放U2乐 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-15
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介绍了一种功率较大的可多路独立供电的半桥DC／DC变换器。采用了有源功率因数校正技术以实现系统的高功 ...
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期待 | 发表时间 2015-05-12
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所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指mosFET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极 ...
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齐欣 | 发表时间 2015-08-13
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绝缘体上硅以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文用Se ...
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hcay | 发表时间 2014-11-04
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过压保护器件用于保护后续电路免受甩负载或瞬间高压的破坏。器件通过控制外部串联在电源线上的n沟道MOS ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-13
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由于具有较低的偏置电流，人们经常选用CMOS和JFET运算放大器。然而你应该意识到，这个事实还与很多 ...
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在电源设计中，工程师通常会面临控制 IC 驱动电流不足的问题，或者面临由于栅极驱动损耗导致控制 IC ...
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本应用笔记介绍如何利用MAX5977热插拔控制器和单路ADC，准确监测两个不同量程的负载电流：大功率 ...
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Dabing | 发表时间 2015-04-02
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1.输入输出端不要靠的太近，特别是在高增益情况下；2.电平差大的线不要靠得太近（电平差30~40dB ...
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永不止步步 | 发表时间 2015-12-04
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最大限度降低器件和印刷电路板(PCB)的寄生电感和电容是重要的设计考虑因素，可减少不希望的噪声。要在 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-06-02
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在电力转换器，电机驱动，太阳能和风力发电等系统的应用上，所有这些保护功能都是重要的，因它确保这些系统 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-12
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之前我们看了CMOS和JFET放大器输入偏置电流的来源，发现其主要由一个或几个反向偏置的PN节的漏电 ...
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