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本文提出了一种基于UCC28600控制器的准谐振反激式开关电源的设计方案，该方案分析了准谐振反激式 ...
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hcay | 发表时间 2014-11-25
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开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-06-20
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提出了一种可用于标准CMOS工艺下且具有二阶温度补偿电路的带隙基准源。所采用的PTAT2电流电路是利 ...
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1.沟道的选择。
为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET.在典型的功 ...
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冯大同 | 发表时间 2014-05-13
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下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MO ...
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永不止步步 | 发表时间 2015-08-15
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MSL2164和MSL2166器件以高电流精度和LED串匹配来驱动外部MOSFET， 这些器件具有爱 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-03-11
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本文以最基础一种同步整流降压式变换器电路系统为例，来进行MOSFET的选型分析和介绍。 ...
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娇 | 发表时间 2016-03-18
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推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导 ...
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小熊 | 发表时间 2014-05-24
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利用升压转换器，评估了封装寄生电感对MOSFET开关特性的影响。 ...
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期待 | 发表时间 2014-12-22
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导读： 三十多年来，本体硅（bulk silicon）MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要C ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-10-17
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使用有源器件(例如MOSFET)的线性区域进行功率控制并不是有效的解决方案。但如果功率控制被限制在控 ...
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Dabing | 发表时间 2015-01-21
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导读： 三十多年来，本体硅（bulk silicon）MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要C ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-10-17
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igbt内部等效电路图及图形符号 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）综合了GTR与MOSFET的优点，是 ...
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lotuse | 发表时间 2016-11-18
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反激式开关电源输出整流滤波电路原理上是最简单的。但是，由于反激式开关电源的能量传递必须通过变压器转换 ...
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期待 | 发表时间 2015-04-28
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随着电力电子技术的高速发展，电子设备的发展也日益壮大，普遍的应用我们生活、工作等不同的领域。而一切 ...
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hcay | 发表时间 2014-10-16
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看到这个主题，可能有些工程师会问：多少伏的功率MOSFET，耐压BVDSS不就是多少伏吗？这里面还有 ...
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永不止步步 | 发表时间 2016-10-12
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随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新。目前，开关电源以小型、轻量和高效率的特 ...
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PandaZ | 发表时间 2016-12-24
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我想到看起来简单的功率MOSFET会有多么复杂，还有就是在为热插拔应用和功率转换分别选择一款MOSF ...
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hcay | 发表时间 2015-01-30
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日益增加的汽车电子系统，沟道型MOSFET已成为当前大部分车载应用的标准器件。在汽车业务中，有不变的 ...
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期待 | 发表时间 2014-12-29
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配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件： 一个采用DPAK封装的100 V MOSFET，以及一 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-06-18
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