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本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。可以说， ...
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本文介绍三种利用 DAC、运算放大器和 MOSFET 晶体管构建支持串行接口数字控制 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-05-19
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在《可替代集成MOSFET的分立器件》中，我们讨论了 MOSFET 栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器 ...
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本文用超级结MOSFET时栅极会振荡如何解决? 来继续为大家讲解如何调整PCB布局以降低超级结MOS ...
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hcay | 发表时间 2015-01-19
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本文提出一个简单的工作在PoE+功率级(30W)的PD电路，它借助了一个外部MOSFET和一个针对旧 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-05-12
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作为一名功率MOSFET工程师，在FET数据表的所有内容中，除了电流额定值之外，被问到的最多的问题可 ...
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晓晓nn | 发表时间 2021-04-12
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文章详细介绍了占空比半导体公司的DU8623芯片，基于非隔离BUCK拓扑、集成源极驱动MOSFET, ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-06-18
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ROHM开发出在大功率（高电压×大电流）逆变器和伺服等工业设备中日益广泛应用的SiC-MOSFET驱 ...
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凯瑞 | 发表时间 2015-05-11
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此LED驱动电路包括一个滞后控制器U1的(MAX16820的)，相关功率器件和控制电路的四运放U2乐 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-15
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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种MOSFET与双极晶体管复合的器件。它既有功率MOSFET易于 ...
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hcay | 发表时间 2014-11-29
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介绍了一种功率较大的可多路独立供电的半桥DC／DC变换器。采用了有源功率因数校正技术以实现系统的高功 ...
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期待 | 发表时间 2015-05-12
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所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极 ...
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齐欣 | 发表时间 2015-08-13
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绝缘体上硅以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文用Se ...
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hcay | 发表时间 2014-11-04
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过压保护器件用于保护后续电路免受甩负载或瞬间高压的破坏。器件通过控制外部串联在电源线上的n沟道MOS ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-13
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在电源设计中，工程师通常会面临控制 IC 驱动电流不足的问题，或者面临由于栅极驱动损耗导致控制 IC ...
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本应用笔记介绍如何利用MAX5977热插拔控制器和单路ADC，准确监测两个不同量程的负载电流：大功率 ...
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Dabing | 发表时间 2015-04-02
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最大限度降低器件和印刷电路板(PCB)的寄生电感和电容是重要的设计考虑因素，可减少不希望的噪声。要在 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-06-02
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在电力转换器，电机驱动，太阳能和风力发电等系统的应用上，所有这些保护功能都是重要的，因它确保这些系统 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-12
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本文将对LED照明应用中实现高功率因数性能的无任何闪烁的调光控制技术与构建等问题作研讨，并以应用多项 ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-10-31
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